Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt, 12.5 Vcc.

Descripción

Características Principales

• Transistor MOSFET de potencia para aplicaciones VHF/UHF
• Diseñado para frecuencias de 175 MHz y 530 MHz
• Potencia de salida: 75W (530 MHz) y 84W (175 MHz)
• Eficiencia de drenador: 64% (530 MHz) y 74% (175 MHz)
• Tensión de alimentación: 12.5V
• Corriente de drenador: 20A máximo
• Diodo integrado de protección de puerta
• Paquete moldeado para mayor robustez
• Suministrado en cinta y carrete (500 unidades por carrete)
• Cumple con estándares RoHS

Especificaciones Técnicas

• Tensión drenador-fuente: 40V (máx)
• Tensión puerta-fuente: -5/+10V (máx)
• Corriente de drenador: 20A (máx)
• Disipación de potencia: 425W (teórico en disipador infinito)
• Temperatura de operación: -40°C a +175°C
• Resistencia térmica: 0.17°C/W (mínimo)
• Impedancia de entrada: 50Ω
• Capacitancia de entrada: 300pF (típico a 1MHz)
• Capacitancia de salida: 150pF (típico a 1MHz)
• Capacitancia de retroalimentación: 50pF (típico a 1MHz)

Aplicaciones

• Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
• Sistemas de comunicación móvil en bandas VHF/UHF
• Equipos de radio base y móviles
• Sistemas de comunicaciones de emergencia
• Equipos de comunicación industrial
• Sistemas de radiodifusión
• Equipos de prueba y medición RF

Características RF

• Frecuencia: 175MHz / 530MHz
• Potencia de entrada: 4-5W
• Potencia de salida: 70-84W
• Impedancia: 50Ω
• Relación de onda estacionaria (VSWR): 65:1 (máx)

Características Eléctricas

• Tensión de umbral: 1.6V – 2.4V
• Corriente de fuga: 150μA (máx)
• Corriente de puerta: 2.5μA (máx)
• Transconductancia: 200mS (mín)
• Capacitancia de entrada: 300pF (típico)

Condiciones de Operación

• Tensión de operación: 12.5V
• Corriente de polarización: 1.0A
• Temperatura de operación: -40°C a +175°C
• Impedancia de carga: 50Ω
• Modulación: TETRA, π/4DQPSK

Características de RF

• Ancho de banda: 135-530MHz
• Respuesta de frecuencia: 175MHz y 530MHz optimizados
• Estabilidad: Diseño robusto con diodo de protección
• Linealidad: Excelente para señales moduladas
• Distorsión: Mínima en todo el rango de operación

Condiciones de Prueba

• Frecuencia de prueba: 135MHz a 530MHz
• Tensión de prueba: 12.5V
• Corriente de prueba: 1.0A
• Impedancia de prueba: 50Ω
• Temperatura de prueba: 25°C

Características Térmicas

• Resistencia térmica: 0.17°C/W (mín)
• Temperatura de almacenamiento: -40°C a +175°C
• Disipación: 425W (en disipador infinito)

Características de Paquete

• Tipo de paquete: Paquete moldeado
• Conexiones: Drenador, fuente, puerta
• Montaje: Montaje en superficie
• Material: Silicio
• Estilo: Discreto

Condiciones de Garantía

• RoHS: Cumple con directivas RoHS
• Pruebas: 22 piezas por lote
• Garantía: 1 año
• Almacenamiento: -40°C a +175°C
• Condiciones: Tc=25°C a menos que se indique

Condiciones de Prueba RF

• Impedancia: 50Ω
• Frecuencia: 175MHz y 530MHz
• Tensión: 12.5V
• Corriente: 1.0A
• Temperatura: 25°C

Condiciones de Estrés

• VSWR: 65:1 (todas las fases)
• Tensión: 16.3V (máx)
• Temperatura: 25°C (prueba)
• Impedancia: 50Ω
• Corriente: 2x500mA

Características de Linealidad

• Distorsión: Mínima
• Intermodulación: -30dBc (máx)
• ACLR: -45dBc (mín)
• IMD3: -40dBc (máx)
• IMD5: -50dBc (máx)

Condiciones de Prueba de Linealidad

• Modulación: TETRA, π/4DQPSK
• Filtro: Nyquist raíz (α=0.35)
• Tasa de símbolos: 18ksps
• Ancho de banda: 18kHz
• Canal: 25kHz