Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.

Descripción

Características Principales

• Transistor NPN de silicio con 100 VCE
• Alta corriente de 4 Amperios
• Frecuencia de operación a 130 MHz
• Potencia media de 1.2 Watt
• Formato compacto TO-92

Características Eléctricas

• VCEO: 100 V
• IC (continua): 4 A
• fT: 130 MHz
• Ptot: 1.2 W
• hFE: 100-300
• VCE(sat): 14-200 mV
• VBE(sat): 960-1100 mV

Características Mecánicas

• Encapsulado: TO-92
• Temperatura de operación: -55 a +200 °C
• Resistencia térmica (Junto a Ambiente): 150 °C/W
• Resistencia térmica (Junto a Carcasa): 50 °C/W

Características de Voltaje

• VCBO: 200 V
• VCEO: 100 V
• VEBO: 6 V
• VCE(sat): 14-200 mV
• VBE(sat): 960-1100 mV

Características de Corriente

• IC (continua): 4 A
• IC (pico): 10 A
• ICBO: 5-10 nA
• IEBO: 10 nA

Características de Frecuencia

• fT: 130 MHz
• ftest: 50 MHz

Características de Conmutación

• ton: 50 ns
• toff: 1650 ns

Características de Potencia

• Ptot a 25°C: 1.2 W
• Ptot práctica: 1.58 W

Aplicaciones Típicas

• Conmutación de alta corriente
• Amplificación de RF
• Circuitos de potencia media
• Fuentes de alimentación
• Control de motores
• Circuitos de protección